单 FET，MOSFET

结果 : 2
系列
TrenchFET®TrenchFET® Gen III
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
31A（Ta），100A（Tc）32A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.6 毫欧 @ 20A，10V33 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
150 nC @ 10 V330 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4500 pF @ 25 V12900 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
6.25W（Ta），104W（Tc）68W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPak SO-8L
SQJ479EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
55,578
现货
1 : ¥9.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.01897
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
32A（Tc）
4.5V，10V
33 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
4500 pF @ 25 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7155DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK
Vishay Siliconix
29,836
现货
1 : ¥16.34000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.36975
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
31A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
3.6 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 250µA
330 nC @ 10 V
±20V
12900 pF @ 20 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。