单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedRohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）750mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，2.5V1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
550 毫欧 @ 600mA，4.5V1.2 欧姆 @ 200mA，2.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1V @ 1mA
Vgs（最大值）
±8V±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
25 pF @ 10 V36 pF @ 16 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）470mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
VMT3X1-DFN1006-3
封装/外壳
3-UFDFNSOT-723
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
X2-DFN1006-3
DMN2400UFB-7
MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
Diodes Incorporated
715,990
现货
711,000
工厂
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.51308
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
750mA（Ta）
1.8V，4.5V
550 毫欧 @ 600mA，4.5V
900mV @ 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
±12V
36 pF @ 16 V
-
470mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
X1-DFN1006-3
3-UFDFN
VMT3 Pkg
RUM002N02T2L
MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
Rohm Semiconductor
634,601
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.50619
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
200mA（Ta）
1.2V，2.5V
1.2 欧姆 @ 200mA，2.5V
1V @ 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
VMT3
SOT-723
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。