单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedToshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.8A（Ta）3A（Ta）5.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
17 毫欧 @ 5A，4.5V90 毫欧 @ 3.6A，4.5V120 毫欧 @ 2.8A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1V @ 250µA1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.8 nC @ 10 V5.5 nC @ 4.5 V33 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±6V±8V±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
130 pF @ 10 V476 pF @ 10 V2700 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）660mW（Ta）1.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C
供应商器件封装
SOT-23-3UFM
封装/外壳
3-SMD，扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMG2301L-7
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Diodes Incorporated
180,583
现货
900,000
工厂
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.45078
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3A（Ta）
2.5V，4.5V
120 毫欧 @ 2.8A，4.5V
1.2V @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
476 pF @ 10 V
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMG2302UK-7
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
Diodes Incorporated
109,383
现货
225,000
工厂
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.50860
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.8A（Ta）
2.5V，4.5V
90 毫欧 @ 3.6A，4.5V
1V @ 250µA
2.8 nC @ 10 V
±12V
130 pF @ 10 V
-
660mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
4,885
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.32907
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
5.4A（Ta）
1.2V，4.5V
17 毫欧 @ 5A，4.5V
1V @ 1mA
33 nC @ 4.5 V
±6V
2700 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
150°C
-
-
表面贴装型
UFM
3-SMD，扁平引线
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。