单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon TechnologiesSTMicroelectronics
系列
-DeepGATE™, STripFET™ VIOptiMOS®-P2OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
25A（Tc）70A（Tc）80A（Tc）90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.1 毫欧 @ 90A，10V4.2 毫欧 @ 40A，10V4.2 毫欧 @ 70A，10V23 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 253µA2V @ 270µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
14 nC @ 10 V20 nC @ 4.5 V160 nC @ 10 V175 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+5V，-16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
820 pF @ 15 V2200 pF @ 25 V11300 pF @ 25 V12400 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），21W（Tc）70W（Tc）137W（Tc）150W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）175°C（TJ）
供应商器件封装
DPAKPG-TO252-3PG-TO252-3-11TO-252（DPAK）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IPD042P03L3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Infineon Technologies
13,172
现货
1 : ¥15.85000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.15737
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
70A（Tc）
4.5V，10V
4.2 毫欧 @ 70A，10V
2V @ 270µA
175 nC @ 10 V
±20V
12400 pF @ 15 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IPD90P03P4L04ATMA2
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
Infineon Technologies
7,426
现货
1 : ¥17.65000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.95803
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
90A（Tc）
-
4.1 毫欧 @ 90A，10V
2V @ 253µA
160 nC @ 10 V
+5V，-16V
11300 pF @ 25 V
-
137W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
2,206
现货
1 : ¥4.19000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.41876
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
25A（Tc）
4.5V，10V
23 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
820 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta），21W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD96N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥10.43000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.32706
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
80A（Tc）
5.5V，10V
4.2 毫欧 @ 40A，10V
2.5V @ 250µA
20 nC @ 4.5 V
±20V
2200 pF @ 25 V
-
70W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。