单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
HEXFET®NexFET™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
25 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.8A（Ta）8.6A（Ta）20A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.3 毫欧 @ 10A，10V14.5 毫欧 @ 14.4A，10V24 毫欧 @ 5.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.9V @ 250µA2.35V @ 10µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.4 nC @ 10 V22.2 nC @ 10 V190 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
430 pF @ 10 V1590 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
1.25W（Ta）1.9W（Ta）3.2W（Ta），37W（Tc）
供应商器件封装
8-VSONP（3x3.3）PowerPAK® SO-8SOT-23
封装/外壳
8-PowerVDFNPowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK SO-8
SI7461DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
37,670
现货
1 : ¥18.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.54421
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
8.6A（Ta）
4.5V，10V
14.5 毫欧 @ 14.4A，10V
3V @ 250µA
190 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.9W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SOT-23-3
IRFML8244TRPBF
MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23
Infineon Technologies
32,531
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.85123
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
5.8A（Ta）
4.5V，10V
24 毫欧 @ 5.8A，10V
2.35V @ 10µA
5.4 nC @ 10 V
±20V
430 pF @ 10 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-VSONP
CSD17578Q3A
MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
Texas Instruments
23,989
现货
1 : ¥5.42000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.82224
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
20A（Ta）
4.5V，10V
7.3 毫欧 @ 10A，10V
1.9V @ 250µA
22.2 nC @ 10 V
±20V
1590 pF @ 15 V
-
3.2W（Ta），37W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。