单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.STMicroelectronicsToshiba Semiconductor and Storage
系列
-SuperMESH™U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A（Tc）20A（Ta）20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
22.2 毫欧 @ 10A，10V30 毫欧 @ 12A，10V520 毫欧 @ 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 1mA3V @ 250µA4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10.8 nC @ 10 V37 nC @ 10 V68 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+10V，-20V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
650 pF @ 20 V1390 pF @ 25 V1850 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），37W（Tc）30W（Tc）41W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）175°C
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
DPAK+TO-220FPTO-252（DPAK）
封装/外壳
TO-220-3 整包TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
126,490
现货
1 : ¥4.84000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.84320
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
20A（Tc）
4.5V，10V
30 毫欧 @ 12A，10V
3V @ 250µA
10.8 nC @ 10 V
±20V
650 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），37W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-220FP
STP11NK50ZFP
MOSFET N-CH 500V 10A TO220FP
STMicroelectronics
137
现货
1 : ¥23.31000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
10A（Tc）
10V
520 毫欧 @ 4.5A，10V
4.5V @ 100µA
68 nC @ 10 V
±30V
1390 pF @ 25 V
-
30W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
9,887
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.96505
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
20A（Ta）
6V，10V
22.2 毫欧 @ 10A，10V
3V @ 1mA
37 nC @ 10 V
+10V，-20V
1850 pF @ 10 V
-
41W（Tc）
175°C
表面贴装型
DPAK+
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。