单 FET，MOSFET

结果 : 12
制造商
Diodes IncorporatedGood-Ark SemiconductorNexperia USA Inc.onsemiTaiwan Semiconductor Corporation
系列
-PowerTrench®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V25 V30 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130mA（Ta）170mA（Ta）220mA（Ta）230mA（Ta）460mA（Ta）470mA（Ta）530mA（Ta）680mA（Ta）850mA（Ta）900mA（Ta）2.4A（Ta）18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，4.5V2.7V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
55 毫欧 @ 2.4A，4.5V68 毫欧 @ 6A，10V220 毫欧 @ 900mA，4.5V450 毫欧 @ 500mA，4.5V640 毫欧 @ 550mA，4.5V900 毫欧 @ 280mA，4.5V1 欧姆 @ 400mA，4.5V1.1 欧姆 @ 500mA，4.5V4 欧姆 @ 400mA，4.5V4.1 欧姆 @ 200mA，4.5V8 欧姆 @ 150mA，10V10 欧姆 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
680mV @ 1mA（典型值）1V @ 250µA1.06V @ 250µA1.1V @ 250µA1.5V @ 250µA2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.35 nC @ 4.5 V0.7 nC @ 4.5 V0.72 nC @ 4.5 V0.8 nC @ 4.5 V0.9 nC @ 4.5 V1.3 nC @ 5 V1.5 nC @ 4.5 V2.2 nC @ 4.5 V2.3 nC @ 4.5 V14 nC @ 4.5 V16.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
-8V±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
9.5 pF @ 10 V27.2 pF @ 10 V46 pF @ 15 V50 pF @ 10 V58 pF @ 10 V63 pF @ 10 V73 pF @ 25 V76 pF @ 15 V109 pF @ 10 V110 pF @ 24 V870 pF @ 30 V882 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）330mW350mW（Ta）350mW（Ta），1.14W（Tc）417mW（Ta）450mW（Ta）500mW（Ta）690mW（Ta）20W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）SOT-323TO-236ABTO-252（DPAK）
封装/外壳
SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
12结果
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/ 12
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
FDV301N
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
onsemi
484,024
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.45078
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
220mA（Ta）
2.7V，4.5V
4 欧姆 @ 400mA，4.5V
1.06V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
9.5 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
FDV303N
MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
onsemi
8,049
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.59362
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
680mA（Ta）
2.7V，4.5V
450 毫欧 @ 500mA，4.5V
1.5V @ 250µA
2.3 nC @ 4.5 V
±8V
50 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
FDV304P
MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23
onsemi
5,273
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.85785
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
460mA（Ta）
2.7V，4.5V
1.1 欧姆 @ 500mA，4.5V
1.5V @ 250µA
1.5 nC @ 4.5 V
±8V
63 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
BSS84
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
onsemi
142,641
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.06404
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
4.5V，10V
8 欧姆 @ 150mA，10V
2.5V @ 250µA
1.3 nC @ 5 V
±20V
73 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
FDV305N
MOSFET N-CH 20V 900MA SOT23
onsemi
23,730
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.87714
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
900mA（Ta）
2.5V，4.5V
220 毫欧 @ 900mA，4.5V
1.5V @ 250µA
1.5 nC @ 4.5 V
±12V
109 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
FDN302P
MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
onsemi
8,502
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.11724
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.4A（Ta）
2.5V，4.5V
55 毫欧 @ 2.4A，4.5V
1.5V @ 250µA
14 nC @ 4.5 V
±12V
882 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
20,445
现货
1 : ¥5.99000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.28036
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
18A（Tc）
4.5V，10V
68 毫欧 @ 6A，10V
2.2V @ 250µA
16.4 nC @ 10 V
±20V
870 pF @ 30 V
-
20W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-236AB
NX3008PBK,215
MOSFET P-CH 30V 230MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
138,472
现货
1 : ¥2.13000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.36556
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
230mA（Ta）
2.5V，4.5V
4.1 欧姆 @ 200mA，4.5V
1.1V @ 250µA
0.72 nC @ 4.5 V
±8V
46 pF @ 15 V
-
350mW（Ta），1.14W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMP31D0U-7
MOSFET P-CH 30V 530MA SOT23
Diodes Incorporated
77,072
现货
12,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.77918
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
530mA（Ta）
1.8V，4.5V
1 欧姆 @ 400mA，4.5V
1.1V @ 250µA
0.9 nC @ 4.5 V
±8V
76 pF @ 15 V
-
450mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMG302PU-7
MOSFET P-CH 25V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
28,011
现货
453,000
工厂
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.98099
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
170mA（Ta）
2.7V，4.5V
10 欧姆 @ 200mA，4.5V
1.5V @ 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
-8V
27.2 pF @ 10 V
-
330mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
BSH203,215
MOSFET P-CH 30V 470MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
70,708
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.85785
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
470mA（Ta）
1.8V，4.5V
900 毫欧 @ 280mA，4.5V
680mV @ 1mA（典型值）
2.2 nC @ 4.5 V
±8V
110 pF @ 24 V
-
417mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
GSFKW0202
GSFC02501
MOSFET, P-CHANNEL, -25V, -0.85A,
Good-Ark Semiconductor
4,778
现货
1 : ¥1.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.27485
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
850mA（Ta）
1.8V，4.5V
640 毫欧 @ 550mA，4.5V
1V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±8V
58 pF @ 10 V
-
690mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
显示
/ 12

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。