单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedGeneSiC Semiconductor
系列
-G2R™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
30 V40 V1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A（Tc）4.3A（Ta）10.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
13 毫欧 @ 10A，10V45 毫欧 @ 4.3A，10V1.2 欧姆 @ 2A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
23 nC @ 10 V68.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+20V，-10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
139 pF @ 1000 V720 pF @ 15 V3426 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
1W（Ta）1.3W（Ta）54W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
POWERDI3333-8SOT-23-3TO-263-7
封装/外壳
3-SMD，SOT-23-3 变式8-PowerVDFNTO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerDI3333-8
DMP4013LFG-7
MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333
Diodes Incorporated
67,056
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.85341
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
10.3A（Ta）
4.5V，10V
13 毫欧 @ 10A，10V
3V @ 250µA
68.6 nC @ 10 V
±20V
3426 pF @ 20 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
SOT-23-3
AOSS21311C
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
7,725
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.80145
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4.3A（Ta）
4.5V，10V
45 毫欧 @ 4.3A，10V
2.2V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
720 pF @ 15 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD，SOT-23-3 变式
GA20JT12-263
G2R1000MT17J
SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7
GeneSiC Semiconductor
12,544
现货
1 : ¥52.87000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1700 V
3A（Tc）
20V
1.2 欧姆 @ 2A，20V
4V @ 2mA
-
+20V，-10V
139 pF @ 1000 V
-
54W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。