单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesSTMicroelectronics
系列
-OptiMOS™5StrongIRFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
150 V200 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
90A（Tc）120A（Tc）182A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
8V，10V10V18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.1 毫欧 @ 60A，10V6.6 毫欧 @ 82A，10V26 毫欧 @ 50A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 270µA4.6V @ 264µA5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
100 nC @ 10 V157 nC @ 18 V203 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V+22V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3300 pF @ 400 V7800 pF @ 75 V9820 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
300W（Tc）330W（Tc）556W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
H2PAK-7PG-TO220-3-1TO-247AC
封装/外壳
TO-220-3TO-247-3TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3 AC EP
IRF200P222
MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC
Infineon Technologies
603
现货
1 : ¥77.99000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
182A（Tc）
10V
6.6 毫欧 @ 82A，10V
4V @ 270µA
203 nC @ 10 V
±20V
9820 pF @ 50 V
-
556W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247AC
TO-247-3
264
现货
1 : ¥51.55000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
120A（Tc）
8V，10V
5.1 毫欧 @ 60A，10V
4.6V @ 264µA
100 nC @ 10 V
±20V
7800 pF @ 75 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3-1
TO-220-3
TO-263-7
SCTH90N65G2V-7
SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7
STMicroelectronics
35
现货
1 : ¥276.90000
剪切带（CT）
1,000 : ¥180.76819
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
90A（Tc）
18V
26 毫欧 @ 50A，18V
5V @ 1mA
157 nC @ 18 V
+22V，-10V
3300 pF @ 400 V
-
330W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
H2PAK-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。