单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesMicro Commercial Co
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.9A（Ta）2A（Tj）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
250 毫欧 @ 1.9A，10V280 毫欧 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2V @ 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.8 nC @ 4.5 V13.9 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
420 pF @ 30 V520 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
1.2W1.8W（Ta），5W（Tc）
供应商器件封装
PG-SOT223SOT-23
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23
SI2324A-TP
MOSFET N-CH 100V 2A SOT23
Micro Commercial Co
165,924
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.71241
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
2A（Tj）
4.5V，10V
280 毫欧 @ 2A，10V
2V @ 250µA
4.8 nC @ 4.5 V
±20V
520 pF @ 15 V
-
1.2W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
600VMOS
ISP25DP06LMSATMA1
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
Infineon Technologies
6,000
现货
1 : ¥5.34000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.01687
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.9A（Ta）
4.5V，10V
250 毫欧 @ 1.9A，10V
2V @ 270µA
13.9 nC @ 10 V
±20V
420 pF @ 30 V
-
1.8W（Ta），5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT223
TO-261-4，TO-261AA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。