单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Infineon TechnologiesMicrochip Technologyonsemi
系列
-HEXFET®
包装
散装管件袋
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
16.5 V30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）300mA（Tj）500mA（Tj）650mA（Tj）700mA（Tj）130A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2V，5V4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.5 毫欧 @ 78A，10V600 毫欧 @ 3A，10V750 毫欧 @ 1.5A，10V1.5 欧姆 @ 300mA，5V2.5 欧姆 @ 500mA，10V5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1V @ 250µA1.6V @ 1mA2V @ 1mA3V @ 1mA3.5V @ 10mA
Vgs（最大值）
±10V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V190 pF @ 20 V250 pF @ 15 V300 pF @ 25 V5330 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
400mW（Ta）740mW（Ta）740mW（Tc）1W（Tc）200W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
TO-220ABTO-92TO-92-3
封装/外壳
TO-220-3TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
2N7000
MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
onsemi
51,690
现货
1 : ¥4.02000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
200mA（Ta）
4.5V，10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
3V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
400mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
VP3203N3-G
MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3
Microchip Technology
1,539
现货
1 : ¥15.19000
袋
-
袋
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
650mA（Tj）
4.5V，10V
600 毫欧 @ 3A，10V
3.5V @ 10mA
-
±20V
300 pF @ 25 V
-
740mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
LP0701N3-G
MOSFET P-CH 16.5V 500MA TO92
Microchip Technology
400
现货
1 : ¥16.09000
袋
-
袋
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
16.5 V
500mA（Tj）
2V，5V
1.5 欧姆 @ 300mA，5V
1V @ 1mA
-
±10V
250 pF @ 15 V
-
1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-220AB PKG
IRL1004PBF
MOSFET N-CH 40V 130A TO220AB
Infineon Technologies
1,167
现货
1 : ¥25.20000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
130A（Tc）
4.5V，10V
6.5 毫欧 @ 78A，10V
1V @ 250µA
100 nC @ 4.5 V
±16V
5330 pF @ 25 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
TN2106N3-G
MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
Microchip Technology
943
现货
1 : ¥5.58000
袋
-
袋
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300mA（Tj）
4.5V，10V
2.5 欧姆 @ 500mA，10V
2V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
740mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
TN0604N3-G
MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3
Microchip Technology
0
现货
查看交期
1 : ¥11.41000
袋
-
袋
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
700mA（Tj）
5V，10V
750 毫欧 @ 1.5A，10V
1.6V @ 1mA
-
±20V
190 pF @ 20 V
-
740mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。