单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.Texas InstrumentsToshiba Semiconductor and Storage
系列
NexFET™OptiMOS™ 5TrenchMOS™U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
20 V60 V80 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
320mA（Ta）4A（Ta）80A（Tc）100A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V6V，10V8V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.1 毫欧 @ 19A，10V9.3 毫欧 @ 40A，1033 毫欧 @ 4A，4.5V1.6 欧姆 @ 300mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1.5V @ 250µA3.3V @ 250µA4.6V @ 107µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.8 nC @ 4.5 V3.6 nC @ 4.5 V33 nC @ 10 V62 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V410 pF @ 10 V2400 pF @ 75 V4870 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
260mW（Ta），830mW（Tc）1W（Ta）3.1W（Ta），195W（Tc）139W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TA）-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-VSON-CLIP（5x6）PG-TDSON-8-7SOT-23FSOT-323
封装/外壳
8-PowerTDFNSC-70，SOT-323SOT-23-3 扁平引线
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
968,451
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.39030
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 300mA，10V
1.5V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
260mW（Ta），830mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TA）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
8-Power TDFN
CSD19502Q5B
MOSFET N-CH 80V 100A 8VSON
Texas Instruments
6,218
现货
1 : ¥20.93000
剪切带（CT）
2,500 : ¥9.45067
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
100A（Ta）
6V，10V
4.1 毫欧 @ 19A，10V
3.3V @ 250µA
62 nC @ 10 V
±20V
4870 pF @ 40 V
-
3.1W（Ta），195W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSON-CLIP（5x6）
8-PowerTDFN
SOT-23-3 Flat Leads
SSM3K345R,LF
MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23F
Toshiba Semiconductor and Storage
26,084
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.72004
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4A（Ta）
1.5V，4.5V
33 毫欧 @ 4A，4.5V
1V @ 1mA
3.6 nC @ 4.5 V
±8V
410 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
BSCXXXX
BSC0402NSATMA1
MOSFET N-CH 150V 80A TDSON-8
Infineon Technologies
0
现货
1 : ¥23.97000
剪切带（CT）
5,000 : ¥11.18729
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
80A（Tc）
8V，10V
9.3 毫欧 @ 40A，10
4.6V @ 107µA
33 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 75 V
-
139W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。