单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Infineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-HEXFET®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V25 V50 V60 V75 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA（Ta）680mA（Ta）1.6A（Tc）4.2A（Ta）6.9A（Ta）75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V2.7V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.4 毫欧 @ 53A，10V26 毫欧 @ 4.1A，10V45 毫欧 @ 4.2A，4.5V345 毫欧 @ 1.25A，10V450 毫欧 @ 500mA，4.5V3 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA1.5V @ 250µA1.6V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.3 nC @ 4.5 V2.4 nC @ 10 V4.1 nC @ 4.5 V12 nC @ 5 V61 nC @ 10 V110 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
27 pF @ 25 V50 pF @ 10 V210 pF @ 30 V740 pF @ 15 V3180 pF @ 25 V3270 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）1W（Ta），1.7W（Tc）1.25W（Ta）2.5W（Ta）170W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOD2PAKMicro3™/SOT-23SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS138
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
onsemi
169,157
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48925
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
220mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
1.6V @ 250µA
2.4 nC @ 10 V
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
FDV303N
MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
onsemi
241,059
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.59362
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
680mA（Ta）
2.7V，4.5V
450 毫欧 @ 500mA，4.5V
1.5V @ 250µA
2.3 nC @ 4.5 V
±8V
50 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML2502TRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Infineon Technologies
100,923
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.10815
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.2A（Ta）
2.5V，4.5V
45 毫欧 @ 4.2A，4.5V
1.2V @ 250µA
12 nC @ 5 V
±12V
740 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2309CDS-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
10,336
现货
1 : ¥4.35000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.46759
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.6A（Tc）
4.5V，10V
345 毫欧 @ 1.25A，10V
3V @ 250µA
4.1 nC @ 4.5 V
±20V
210 pF @ 30 V
-
1W（Ta），1.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
IRF7473TRPBF
MOSFET N-CH 100V 6.9A 8SO
Infineon Technologies
9,784
现货
1 : ¥12.81000
剪切带（CT）
4,000 : ¥5.28543
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
6.9A（Ta）
10V
26 毫欧 @ 4.1A，10V
5.5V @ 250µA
61 nC @ 10 V
±20V
3180 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF2807ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Infineon Technologies
871
现货
1 : ¥19.37000
剪切带（CT）
800 : ¥10.83254
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
75 V
75A（Tc）
10V
9.4 毫欧 @ 53A，10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
3270 pF @ 25 V
-
170W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
/ 6

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。