单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Micro Commercial CoNexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA(Ta)320mA(Ta)4.3A(Ta)30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
10.5 毫欧 @ 15A,10V45 毫欧 @ 4.3A,10V1.6 欧姆 @ 300mA,10V8 欧姆 @ 10mA,4V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 100µA1.5V @ 250µA2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.8 nC @ 4.5 V23 nC @ 10 V31 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
13 pF @ 5 V50 pF @ 10 V720 pF @ 15 V1160 pF @ 20 V
功率耗散(最大值)
200mW(Ta)260mW(Ta),830mW(Tc)1.3W(Ta)4.8W(Ta),41.7W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8SOT-23-3SOT-323
封装/外壳
3-SMD,SOT-23-3 变式PowerPAK® SO-8SC-70,SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
968,451
现货
1 : ¥2.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.39030
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
320mA(Ta)
10V
1.6 欧姆 @ 300mA,10V
1.5V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
260mW(Ta),830mW(Tc)
-55°C ~ 150°C(TA)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
PowerPAK SO-8
SIR426DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
48,719
现货
1 : ¥8.21000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.39533
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
30A(Tc)
4.5V,10V
10.5 毫欧 @ 15A,10V
2.5V @ 250µA
31 nC @ 10 V
±20V
1160 pF @ 20 V
-
4.8W(Ta),41.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SOT 323
2SK3018-TP
MOSFET N-CH 30V 100MA SOT323
Micro Commercial Co
49,957
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.60968
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
100mA(Ta)
2.5V
8 欧姆 @ 10mA,4V
1.5V @ 100µA
-
±20V
13 pF @ 5 V
-
200mW(Ta)
-55°C ~ 150°C
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-23-3
AOSS21311C
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
7,730
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.80145
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.3A(Ta)
4.5V,10V
45 毫欧 @ 4.3A,10V
2.2V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
720 pF @ 15 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD,SOT-23-3 变式
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。