单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon Technologiesonsemi
系列
-HEXFET®OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
50 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA（Ta）10.6A（Ta），71A（Tc）28A（Ta），85A（Tc）30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.6 毫欧 @ 20A，10V12.3 毫欧 @ 50A，10V28 毫欧 @ 23A，10V3 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.6V @ 250µA2.4V @ 72µA2.5V @ 250µA3.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.4 nC @ 10 V33 nC @ 4.5 V68 nC @ 10 V90 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
27 pF @ 25 V1890 pF @ 25 V4600 pF @ 50 V4900 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）7.3W（Ta），208W（Tc）114W（Tc）120W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-DFN（5x6）PG-TDSON-8-1SOT-23-3TO-252AA (DPAK)
封装/外壳
8-PowerSMD，扁平引线8-PowerTDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS138
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
onsemi
12,328
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48925
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
220mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
1.6V @ 250µA
2.4 nC @ 10 V
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO252-3
IRLR2908TRPBF
MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Infineon Technologies
1,387
现货
1 : ¥11.58000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.78178
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
30A（Tc）
4.5V，10V
28 毫欧 @ 23A，10V
2.5V @ 250µA
33 nC @ 4.5 V
±16V
1890 pF @ 25 V
-
120W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PG-TDSON-8-1
BSC123N10LSGATMA1
MOSFET N-CH 100V 10.6/71A 8TDSON
Infineon Technologies
17,097
现货
1 : ¥15.93000
剪切带（CT）
5,000 : ¥6.92713
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
10.6A（Ta），71A（Tc）
4.5V，10V
12.3 毫欧 @ 50A，10V
2.4V @ 72µA
68 nC @ 10 V
±20V
4900 pF @ 50 V
-
114W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
8-DFN
AON6290
MOSFET N CH 100V 28A DFN5X6
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
4,876
现货
1 : ¥22.82000
剪切带（CT）
3,000 : ¥10.64137
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
28A（Ta），85A（Tc）
6V，10V
4.6 毫欧 @ 20A，10V
3.4V @ 250µA
90 nC @ 10 V
±20V
4600 pF @ 50 V
-
7.3W（Ta），208W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerSMD，扁平引线
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。