单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesRohm Semiconductor
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
30 V75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A（Ta）120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.8 毫欧 @ 75A，10V17 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA4V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.8 nC @ 5 V110 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
440 pF @ 10 V4750 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
2W（Ta）230W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）150°C
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SOPTO-220AB
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-220-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB PKG
IRFB3307ZPBF
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Infineon Technologies
1,320
现货
1 : ¥19.70000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
75 V
120A（Tc）
10V
5.8 毫欧 @ 75A，10V
4V @ 150µA
110 nC @ 10 V
±20V
4750 pF @ 50 V
-
230W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
8-SOIC
RXH090N03TB1
4V DRIVE NCH MOSFET: MOSFETS ARE
Rohm Semiconductor
1,660
现货
1 : ¥11.17000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.61796
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
9A（Ta）
4V，10V
17 毫欧 @ 9A，10V
2.5V @ 1mA
6.8 nC @ 5 V
±20V
440 pF @ 10 V
-
2W（Ta）
150°C
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。