单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesToshiba Semiconductor and Storage
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
390mA（Ta）2.4A（Ta）26A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，4.5V2.5V，4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.5 毫欧 @ 5A，4.5V65 毫欧 @ 1.5A，4V1.2 欧姆 @ 390mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.2V @ 1.5µA1.2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.62 nC @ 4.5 V2.2 nC @ 4 V47 nC @ 8 V
Vgs（最大值）
±8V±10V±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
56 pF @ 15 V200 pF @ 10 V2475 pF @ 6 V
功率耗散（最大值）
250mW（Ta）500mW（Ta）2.1W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C
供应商器件封装
PG-SOT323U-DFN2020-6（F 类）UFV
封装/外壳
5-SMD，扁平引线6-UDFN 裸露焊盘SC-70，SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS223PWH6327XTSA1
MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3
Infineon Technologies
75,043
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48134
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
390mA（Ta）
2.5V，4.5V
1.2 欧姆 @ 390mA，4.5V
1.2V @ 1.5µA
0.62 nC @ 4.5 V
±12V
56 pF @ 15 V
-
250mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT323
SC-70，SOT-323
935
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.76809
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.4A（Ta）
2.5V，4V
65 毫欧 @ 1.5A，4V
1.2V @ 1mA
2.2 nC @ 4 V
±10V
200 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
150°C
表面贴装型
UFV
5-SMD，扁平引线
U-DFN2020-6 Type F
DMP1005UFDF-13
MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
10,000 : ¥1.26768
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
26A（Tc）
1.8V，4.5V
8.5 毫欧 @ 5A，4.5V
1V @ 250µA
47 nC @ 8 V
±8V
2475 pF @ 6 V
-
2.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
U-DFN2020-6（F 类）
6-UDFN 裸露焊盘
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。