单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes Incorporated
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9.2A（Ta）28A（Ta），50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5 毫欧 @ 20A，4.5V18 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17 nC @ 10 V100 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
864 pF @ 30 V5626 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
1.5W（Ta）6.2W（Ta），83W（Tc）
供应商器件封装
8-DFN-EP（3.3x3.3）8-SO
封装/外壳
8-PowerWDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8 SO
DMT6016LSS-13
MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
Diodes Incorporated
45,046
现货
547,500
工厂
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.68782
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
9.2A（Ta）
4.5V，10V
18 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
864 pF @ 30 V
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-DFN-EP
AON7423
MOSFET P-CH 20V 28A/50A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
86,637
现货
1 : ¥7.55000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.12391
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
28A（Ta），50A（Tc）
1.5V，4.5V
5 毫欧 @ 20A，4.5V
900mV @ 250µA
100 nC @ 4.5 V
±8V
5626 pF @ 10 V
-
6.2W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN-EP（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。