单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
onsemiSTMicroelectronics
系列
-SuperMESH™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
40 V1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.3A（Tc）533A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.48 毫欧 @ 50A，10V1.38 欧姆 @ 4.15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
162 nC @ 10 V187 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3500 pF @ 25 V11800 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
5W（Ta）230W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-DFNW（8.3x8.4）TO-247-3
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-TDFN
NVMTS0D6N04CTXG
MOSFET N-CH 40V 533A 8DFNW
onsemi
2,165
现货
1 : ¥67.16000
剪切带（CT）
3,000 : ¥35.68477
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
533A（Tc）
10V
0.48 毫欧 @ 50A，10V
4V @ 250µA
187 nC @ 10 V
±20V
11800 pF @ 20 V
-
5W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-DFNW（8.3x8.4）
8-PowerTDFN
TO-247-3 HiP
STW11NK100Z
MOSFET N-CH 1000V 8.3A TO247-3
STMicroelectronics
541
现货
1 : ¥52.63000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1000 V
8.3A（Tc）
10V
1.38 欧姆 @ 4.15A，10V
4.5V @ 100µA
162 nC @ 10 V
±30V
3500 pF @ 25 V
-
230W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。