单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedGeneSiC SemiconductorInfineon Technologies
系列
-CoolSiC™G3R™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
60 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.6A（Ta）4.7A（Tc）71A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V15V15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
48 毫欧 @ 35A，15V140 毫欧 @ 1.8A，10V455 毫欧 @ 2A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.69V @ 10mA3V @ 250µA5.7V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.3 nC @ 18 V8.6 nC @ 10 V106 nC @ 15 V
Vgs（最大值）
±15V±20V+23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
182 pF @ 800 V315 pF @ 40 V2929 pF @ 800 V
功率耗散（最大值）
700mW（Ta）60W（Tc）333W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO247-3-41SOT-23-3TO-247-3
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN6140L-7
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23
Diodes Incorporated
161,130
现货
231,000
工厂
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.58560
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.6A（Ta）
4.5V，10V
140 毫欧 @ 1.8A，10V
3V @ 250µA
8.6 nC @ 10 V
±20V
315 pF @ 40 V
-
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-247-3
G3R40MT12D
SIC MOSFET N-CH 71A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
1,625
现货
1 : ¥143.01000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
71A（Tc）
15V
48 毫欧 @ 35A，15V
2.69V @ 10mA
106 nC @ 15 V
±15V
2929 pF @ 800 V
-
333W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IMW120R350M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3
Infineon Technologies
1,365
现货
1 : ¥35.46000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
4.7A（Tc）
15V，18V
455 毫欧 @ 2A，18V
5.7V @ 1mA
5.3 nC @ 18 V
+23V，-7V
182 pF @ 800 V
-
60W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。