单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDGood-Ark SemiconductorNexperia USA Inc.onsemi
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V50 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130mA（Ta）850mA（Ta）120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V4.5V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.5 毫欧 @ 75A，10V400 毫欧 @ 500mA，4.5V8 欧姆 @ 150mA，10V10 欧姆 @ 100mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
400mV @ 1mA（最小）2V @ 250µA2.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.1 nC @ 4.5 V116 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
30 pF @ 5 V30 pF @ 30 V83 pF @ 24 V7295 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
225mW225mW（Ta）540mW（Ta）333W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23TO-236ABTO-263（D2PAK）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
BSH103,215
MOSFET N-CH 30V 850MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
38,253
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.77887
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
850mA（Ta）
2.5V
400 毫欧 @ 500mA，4.5V
400mV @ 1mA（最小）
2.1 nC @ 4.5 V
±8V
83 pF @ 24 V
-
540mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
GSFKW0202
BSS84
MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.13A, -5
Good-Ark Semiconductor
39,219
现货
1 : ¥1.23000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.21567
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
5V，10V
10 欧姆 @ 100mA，5V
2V @ 250µA
-
±20V
30 pF @ 5 V
-
225mW
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
BSS84
BSS84
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
113,449
现货
1 : ¥1.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.26581
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
4.5V，10V
8 欧姆 @ 150mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
30 pF @ 30 V
-
225mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-263
FDB035N10A
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥54.60000
剪切带（CT）
800 : ¥32.95568
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
120A（Tc）
10V
3.5 毫欧 @ 75A，10V
4V @ 250µA
116 nC @ 10 V
±20V
7295 pF @ 25 V
-
333W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。