单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-HEXFET®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V20 V30 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.6A（Ta）4.3A（Ta）8A（Tc）80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.3 毫欧 @ 25A，10V24 毫欧 @ 7.5A，4.5V50 毫欧 @ 4.3A，4.5V64 毫欧 @ 3.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
950mV @ 250µA1.5V @ 250µA2.15V @ 1mA2.4V @ 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.8 nC @ 4.5 V15 nC @ 5 V55 nC @ 10 V63 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
388 pF @ 25 V830 pF @ 10 V1670 pF @ 10 V3766 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
1.3W（Ta）4.2W（Tc）101W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
6-TSOPLFPAK33Micro3™/SOT-23
封装/外壳
SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRLML6401TRPBF
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Infineon Technologies
51,400
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.88628
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
4.3A（Ta）
1.8V，4.5V
50 毫欧 @ 4.3A，4.5V
950mV @ 250µA
15 nC @ 5 V
±8V
830 pF @ 10 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML9301TRPBF
MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT23
Infineon Technologies
91,238
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.93948
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.6A（Ta）
4.5V，10V
64 毫欧 @ 3.6A，10V
2.4V @ 10µA
4.8 nC @ 4.5 V
±20V
388 pF @ 25 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
Pkg 5540
SI3407DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Vishay Siliconix
17,615
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.34529
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
8A（Tc）
2.5V，4.5V
24 毫欧 @ 7.5A，4.5V
1.5V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±12V
1670 pF @ 10 V
-
4.2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
LFPAK33
BUK9M3R3-40HX
MOSFET N-CH 40V 80A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
4,066
现货
1 : ¥12.56000
剪切带（CT）
1,500 : ¥5.96639
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
80A（Tc）
4.5V，10V
3.3 毫欧 @ 25A，10V
2.15V @ 1mA
55 nC @ 10 V
±16V
3766 pF @ 25 V
-
101W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。