单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedonsemiSTMicroelectronics
系列
-DeepGATE™, STripFET™ VIPowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA（Ta）6.8A（Tc）12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，2.7V4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
30 毫欧 @ 6A，10V160 毫欧 @ 3.4A，10V1.7 欧姆 @ 200mA，2.7V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 100µA2.5V @ 250µA2.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.61 nC @ 10 V12 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
225 pF @ 50 V1450 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）14.9W（Tc）40W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）175°C（TJ）
供应商器件封装
DPAKSOT-23-3TO-252AA
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN2005K-7
MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Diodes Incorporated
710,900
现货
342,000
工厂
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.57387
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
300mA（Ta）
1.8V，2.7V
1.7 欧姆 @ 200mA，2.7V
900mV @ 100µA
-
±10V
-
-
350mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-252AA
FDD1600N10ALZ
MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
onsemi
13,426
现货
1 : ¥8.05000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.32086
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
6.8A（Tc）
5V，10V
160 毫欧 @ 3.4A，10V
2.8V @ 250µA
3.61 nC @ 10 V
±20V
225 pF @ 50 V
-
14.9W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD26P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 12A DPAK
STMicroelectronics
50,640
现货
1 : ¥7.39000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.96228
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12A（Tc）
4.5V，10V
30 毫欧 @ 6A，10V
2.5V @ 250µA
12 nC @ 4.5 V
±20V
1450 pF @ 25 V
-
40W（Tc）
175°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。