单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologies
系列
-OptiMOS™ 5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.8A（Ta）112A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.6 毫欧 @ 56A，1065 毫欧 @ 3.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250µA4.6V @ 160µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.2 nC @ 4.5 V21 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
563 pF @ 25 V4700 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
1.08W（Ta）214W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3SOT-23-3
封装/外壳
TO-220-3TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMP3099L-7
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
336,499
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.50539
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.8A（Ta）
4.5V，10V
65 毫欧 @ 3.8A，10V
2.1V @ 250µA
5.2 nC @ 4.5 V
±20V
563 pF @ 25 V
-
1.08W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-220-3
IPP076N15N5AKSA1
MOSFET N-CH 150V 112A TO220-3
Infineon Technologies
1,130
现货
1 : ¥44.58000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
112A（Tc）
8V，10V
7.6 毫欧 @ 56A，10
4.6V @ 160µA
21 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 75 V
-
214W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。