单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesLittelfuse Inc.
系列
-HEXFET®OptiMOS™Polar
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V150 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.4A（Ta）26A（Tc）62A（Tc）87A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V8V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.3 毫欧 @ 44A，10V26 毫欧 @ 46A，10V60 毫欧 @ 3.8A，10V170 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA4V @ 250µA4.6V @ 107µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
26.1 nC @ 10 V40.7 nC @ 10 V56 nC @ 10 V98 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1007 pF @ 20 V2740 pF @ 25 V3230 pF @ 75 V4600 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
2W（Ta）139W（Tc）300W（Tc）330W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
D2PAKPG-TDSON-8-7SOT-223-3TO-263AA
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-261-4，TO-261AATO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-223-3
ZXMP4A16GTA
MOSFET P-CH 40V 6.4A SOT223
Diodes Incorporated
24,290
现货
1 : ¥7.31000
剪切带（CT）
1,000 : ¥3.13502
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
6.4A（Ta）
4.5V，10V
60 毫欧 @ 3.8A，10V
1V @ 250µA
26.1 nC @ 10 V
±20V
1007 pF @ 20 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
8-Power TDFN
BSC093N15NS5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 87A TDSON
Infineon Technologies
3,870
现货
1 : ¥30.87000
剪切带（CT）
5,000 : ¥14.40935
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
87A（Tc）
8V，10V
9.3 毫欧 @ 44A，10V
4.6V @ 107µA
40.7 nC @ 10 V
±20V
3230 pF @ 75 V
-
139W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS4227TRLPBF
MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Infineon Technologies
5,094
现货
1 : ¥31.77000
剪切带（CT）
800 : ¥19.19489
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
62A（Tc）
10V
26 毫欧 @ 46A，10V
5V @ 250µA
98 nC @ 10 V
±30V
4600 pF @ 25 V
-
330W（Tc）
-40°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263AB
IXTA26P20P
MOSFET P-CH 200V 26A TO263
Littelfuse Inc.
166
现货
1 : ¥54.35000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
26A（Tc）
10V
170 毫欧 @ 13A，10V
4V @ 250µA
56 nC @ 10 V
±20V
2740 pF @ 25 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。