单 FET,MOSFET

结果 : 3
系列
OptiMOS™OptiMOS™ 5OptiMOS™-5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
40 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
40A(Tc)80A(Tc)300A(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.4 毫欧 @ 100A,10V3.29 毫欧 @ 40A,10V7.4 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 10µA2V @ 18µA3.8V @ 230µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
17 nC @ 10 V25 nC @ 10 V187 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
920 pF @ 25 V1515 pF @ 25 V13178 pF @ 40 V
功率耗散(最大值)
34W(Tc)50W(Tc)300W(Tc)
供应商器件封装
PG-HDSOP-16-2PG-TDSON-8PG-TSDSON-8
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN16-PowerSOP 模块
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
IPZ40N04S5L7R4ATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Infineon Technologies
10,304
现货
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.64614
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
40A(Tc)
4.5V,10V
7.4 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 10µA
17 nC @ 10 V
±16V
920 pF @ 25 V
-
34W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerVDFN
IAUS300N08S5N012TATMA1
IAUS300N08S5N014TATMA1
MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Infineon Technologies
5,303
现货
1 : ¥54.18000
剪切带(CT)
1,800 : ¥28.00062
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
300A(Tj)
6V,10V
1.4 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 230µA
187 nC @ 10 V
±20V
13178 pF @ 40 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
11,836
现货
1 : ¥7.31000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.87365
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
80A(Tc)
4.5V,10V
3.29 毫欧 @ 40A,10V
2V @ 18µA
25 nC @ 10 V
±16V
1515 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。