单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon Technologies
系列
AlphaSGT™HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.6A（Ta）15A（Ta），50A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9 毫欧 @ 15A，10V56 毫欧 @ 3.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA2.5V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.9 nC @ 4.5 V46 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
266 pF @ 25 V2180 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
1.3W（Ta）4.1W（Ta），52W（Tc）
供应商器件封装
8-DFN-EP（3.3x3.3）Micro3™/SOT-23
封装/外壳
8-PowerWDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRLML0040TRPBF
MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT23
Infineon Technologies
12,325
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.06404
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
3.6A（Ta）
4.5V，10V
56 毫欧 @ 3.6A，10V
2.5V @ 25µA
3.9 nC @ 4.5 V
±16V
266 pF @ 25 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-DFN-EP
AONR66922
MOSFET N-CH 100V 15A/50A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
5,507
现货
1 : ¥11.33000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.69690
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
15A（Ta），50A（Tc）
4.5V，10V
9 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
46 nC @ 10 V
±20V
2180 pF @ 50 V
-
4.1W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN-EP（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。