单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
HEXFET®PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.8A（Ta）4.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
40 毫欧 @ 3.8A，10V42 毫欧 @ 4.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
24 nC @ 10 V48 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
870 pF @ 25 V1005 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
1W（Ta）1.6W（Ta）
供应商器件封装
SOT-223SuperSOT™-6
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT223-3L
IRLL2705TRPBF
MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
Infineon Technologies
1,093
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.94377
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
3.8A（Ta）
4V，10V
40 毫欧 @ 3.8A，10V
2V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±16V
870 pF @ 25 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
SG6858TZ
FDC610PZ
MOSFET P-CH 30V 4.9A SUPERSOT6
onsemi
17,603
现货
1 : ¥4.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.51651
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4.9A（Ta）
4.5V，10V
42 毫欧 @ 4.9A，10V
3V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±25V
1005 pF @ 15 V
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。