单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V450 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
140mA（Ta）150mA（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5 欧姆 @ 500mA，10V50 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 1mA3V @ 1mA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
35 pF @ 18 V70 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
330mW（Ta）2W（Ta）
供应商器件封装
SOT-223-3SOT-23-3
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
ZVN3306FTA
MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3
Diodes Incorporated
25,070
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.15571
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
150mA（Ta）
10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
2.4V @ 1mA
±20V
35 pF @ 18 V
-
330mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-223-3
ZVN0545GTA
MOSFET N-CH 450V 140MA SOT223
Diodes Incorporated
45,372
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
1,000 : ¥3.06455
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
450 V
140mA（Ta）
10V
50 欧姆 @ 100mA，10V
3V @ 1mA
±20V
70 pF @ 25 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。