单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
HEXFET®SuperFET® III, FRFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
20 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.3A（Ta）75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，2.5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
27.4 毫欧 @ 35A，10V57 毫欧 @ 2.3A，2.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
750mV @ 11µA5V @ 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.7 nC @ 2.5 V227 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
529 pF @ 10 V7780 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）595W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-SOT23TO-247-3
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3
NVHL027N65S3F
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
onsemi
29
现货
450 : ¥113.55827
管件
1 : ¥164.44000
管件
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
75A（Tc）
10V
27.4 毫欧 @ 35A，10V
5V @ 3mA
227 nC @ 10 V
±30V
7780 pF @ 400 V
-
595W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-3
TO-247-3
SOT-23-3
BSS806NEH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Infineon Technologies
67,623
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.71245
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.3A（Ta）
1.8V，2.5V
57 毫欧 @ 2.3A，2.5V
750mV @ 11µA
1.7 nC @ 2.5 V
±8V
529 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。