单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon TechnologiesonsemiTaiwan Semiconductor Corporation
系列
-OptiMOS™ 5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA（Ta）3.1A（Tc）21A（Ta），132A（Tc）21A（Ta），34A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4V4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3 毫欧 @ 20A，10V4 毫欧 @ 20A，10V190 毫欧 @ 3A，10V1.5 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 250µA2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA3.3V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.15 nC @ 5 V8.2 nC @ 10 V45 nC @ 10 V49 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
21 pF @ 5 V425 pF @ 30 V1540 pF @ 15 V3800 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
690mW（Ta）1.56W（Tc）2.5W（Ta），100W（Tc）3.1W（Ta），31W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-DFN-EP（3x3）PG-WHSON-8-1SOT-23SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
8-PowerVDFN8-PowerWDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
NTR4003NT1G
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3
onsemi
286,720
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.51312
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
500mA（Ta）
2.5V，4V
1.5 欧姆 @ 10mA，4V
1.4V @ 250µA
1.15 nC @ 5 V
±20V
21 pF @ 5 V
-
690mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
MFG_TO-236-3,-SC-59,-SOT-23-3
TSM2309CX RFG
MOSFET P-CHANNEL 60V 3.1A SOT23
Taiwan Semiconductor Corporation
36,327
现货
1 : ¥4.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.11862
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3.1A（Tc）
4.5V，10V
190 毫欧 @ 3A，10V
2.5V @ 250µA
8.2 nC @ 10 V
±20V
425 pF @ 30 V
-
1.56W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-DFN
AON7522E
MOSFET N-CH 30V 21A/34A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
2,589
现货
1 : ¥4.52000
剪切带（CT）
5,000 : ¥1.45110
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
21A（Ta），34A（Tc）
4.5V，10V
4 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
1540 pF @ 15 V
-
3.1W（Ta），31W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
IQE030N06NM5SCATMA1
IQE030N06NM5SCATMA1
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥23.07000
剪切带（CT）
6,000 : ¥10.77341
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
21A（Ta），132A（Tc）
6V，10V
3 毫欧 @ 20A，10V
3.3V @ 50µA
49 nC @ 10 V
±20V
3800 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），100W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-WHSON-8-1
8-PowerWDFN
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。