单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
onsemiToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®U-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V40 V50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA（Ta）2A（Ta）17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，8V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.5 毫欧 @ 10A，10V185 毫欧 @ 1A，8V3 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 1mA1.6V @ 250µA2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.1 nC @ 4.2 V2.4 nC @ 10 V27 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
27 pF @ 25 V130 pF @ 10 V985 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）1W（Ta）2.5W（Ta），5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOICSOT-23-3SOT-23F
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SOT-23-3 扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS138
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
onsemi
175,316
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48925
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
220mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
1.6V @ 250µA
2.4 nC @ 10 V
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
14,660
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.62271
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
2A（Ta）
1.8V，8V
185 毫欧 @ 1A，8V
1.2V @ 1mA
1.1 nC @ 4.2 V
±12V
130 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
8-SOIC
SI4174DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Vishay Siliconix
11,880
现货
1 : ¥7.14000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.71752
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
17A（Tc）
4.5V，10V
9.5 毫欧 @ 10A，10V
2.2V @ 250µA
27 nC @ 10 V
±20V
985 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta），5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。