单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDiodes Incorporated
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）6.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
18 毫欧 @ 6.8A，4.5V6 欧姆 @ 100mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.58 nC @ 4 V11.05 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50.54 pF @ 25 V888 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
425mW（Ta）1.2W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23X1-DFN1006-3
封装/外壳
3-UFDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
X2-DFN1006-3
DMP56D0UFB-7B
MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
Diodes Incorporated
49,610
现货
150,000
工厂
1 : ¥2.13000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.63627
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
2.5V，4V
6 欧姆 @ 100mA，4V
1.2V @ 250µA
0.58 nC @ 4 V
±8V
50.54 pF @ 25 V
-
425mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
X1-DFN1006-3
3-UFDFN
AS2312
AS2312
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
3,062
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.37566
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6.8A（Ta）
1.8V，4.5V
18 毫欧 @ 6.8A，4.5V
1V @ 250µA
11.05 nC @ 4.5 V
±10V
888 pF @ 10 V
-
1.2W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。