单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
onsemiRohm Semiconductor
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）12.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9 毫欧 @ 12.5A，10V2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA5V @ 250µA
Vgs（最大值）
±8V+30V，-20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
25 pF @ 10 V2659 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）2.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOICVMT3
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SOT-723
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
VMT3 Pkg
RUM002N05T2L
MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Rohm Semiconductor
761,454
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.39897
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
1.2V，4.5V
2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
1V @ 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
VMT3
SOT-723
8-SOIC
FDS4470
MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC
onsemi
6,091
现货
1 : ¥15.43000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.97167
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
12.5A（Ta）
10V
9 毫欧 @ 12.5A，10V
5V @ 250µA
63 nC @ 10 V
+30V，-20V
2659 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。