单 FET，MOSFET

结果 : 8
制造商
Infineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
-HEXFET®OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
50 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA（Ta）300mA（Ta）1.6A（Ta）28A（Tc）30A（Ta），100A（Tc）75A（Tc）90A（Tc）300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 毫欧 @ 150A，10V1.6 毫欧 @ 50A，10V5.1 毫欧 @ 90A，10V5.9 毫欧 @ 30A，10V41 毫欧 @ 7.8A，10V220 毫欧 @ 1.6A，10V2 欧姆 @ 500mA，10V3 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.6V @ 250µA2.5V @ 250µA2.5V @ 25µA2.8V @ 95µA3V @ 250µA3.8V @ 250µA4V @ 60µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 4.5 V2.4 nC @ 10 V2.5 nC @ 4.5 V71 nC @ 10 V81 nC @ 10 V100 nC @ 10 V160 nC @ 10 V211 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
27 pF @ 25 V30 pF @ 25 V290 pF @ 25 V4600 pF @ 50 V5200 pF @ 30 V5500 pF @ 25 V6500 pF @ 25 V16000 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）1.3W（Ta）2.5W（Ta），139W（Tc）5.2W（Ta），83W（Tc）107W（Tc）166W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23PG-HSOF-8-1PG-TDSON-8 FLPG-TO252-3-11PowerPAK® SO-8SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerTDFNPowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002K-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Vishay Siliconix
559,520
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.39030
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300mA（Ta）
4.5V，10V
2 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
onsemi
47,156
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48925
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
220mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
1.6V @ 250µA
2.4 nC @ 10 V
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML0100TRPBF
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23
Infineon Technologies
37,240
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.16184
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.6A（Ta）
4.5V，10V
220 毫欧 @ 1.6A，10V
2.5V @ 25µA
2.5 nC @ 4.5 V
±16V
290 pF @ 25 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PG-TDSON-8 FL
BSC016N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
Infineon Technologies
39,482
现货
1 : ¥20.77000
剪切带（CT）
5,000 : ¥9.02215
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
30A（Ta），100A（Tc）
6V，10V
1.6 毫欧 @ 50A，10V
2.8V @ 95µA
71 nC @ 10 V
±20V
5200 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），139W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
PowerPAK SO-8
SI7489DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
7,773
现货
1 : ¥20.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.42860
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
28A（Tc）
4.5V，10V
41 毫欧 @ 7.8A，10V
3V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4600 pF @ 50 V
-
5.2W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
x-xSOF-8-1
IPT015N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Infineon Technologies
16,009
现货
1 : ¥56.23000
剪切带（CT）
2,000 : ¥29.89270
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
300A（Tc）
6V，10V
1.5 毫欧 @ 150A，10V
3.8V @ 250µA
211 nC @ 10 V
±20V
16000 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
TO-263 (D2Pak)
SQM70060EL_GE3
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Vishay Siliconix
541
现货
1 : ¥21.10000
剪切带（CT）
800 : ¥11.81890
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
75A（Tc）
4.5V，10V
5.9 毫欧 @ 30A，10V
2.5V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
5500 pF @ 25 V
-
166W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO252-3
IPD90N06S405ATMA2
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥12.89000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.81488
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
90A（Tc）
10V
5.1 毫欧 @ 90A，10V
4V @ 60µA
81 nC @ 10 V
±20V
6500 pF @ 25 V
-
107W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 8

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。