单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedonsemiVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
50 V60 V80 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA（Ta）4.4A（Ta），22A（Tc）7A（Ta），18.2A（Tc）28A（Tc）32A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
25 毫欧 @ 10.2A，10V28 毫欧 @ 5A，10V41 毫欧 @ 7.8A，10V53 毫欧 @ 4.4A，10V3 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.6V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.4 nC @ 10 V53.1 nC @ 10 V63 nC @ 10 V155 nC @ 10 V160 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
27 pF @ 25 V2569 pF @ 30 V3905 pF @ 75 V4600 pF @ 50 V5100 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）2W（Ta）2.5W（Ta），104W（Tc）5.2W（Ta），83W（Tc）100W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）PowerPAK® SO-8SOT-223-3SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
显示
/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS138
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
onsemi
31,696
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48925
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
220mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
1.6V @ 250µA
2.4 nC @ 10 V
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-223-3
DMP6023LE-13
MOSFET P-CH 60V 7A/18.2A SOT223
Diodes Incorporated
48,844
现货
1 : ¥6.57000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.48122
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
7A（Ta），18.2A（Tc）
4.5V，10V
28 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
53.1 nC @ 10 V
±20V
2569 pF @ 30 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
PowerPAK SO-8
SI7489DP-T1-E3
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
52,896
现货
1 : ¥21.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.48374
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
28A（Tc）
4.5V，10V
41 毫欧 @ 7.8A，10V
3V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4600 pF @ 50 V
-
5.2W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPak SO-8L
SQJ469EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
8,174
现货
1 : ¥22.99000
剪切带（CT）
3,000 : ¥11.17727
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
32A（Tc）
6V，10V
25 毫欧 @ 10.2A，10V
2.5V @ 250µA
155 nC @ 10 V
±20V
5100 pF @ 40 V
-
100W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
8-PQFN
FDMS86263P
MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥24.14000
剪切带（CT）
3,000 : ¥11.74629
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
4.4A（Ta），22A（Tc）
6V，10V
53 毫欧 @ 4.4A，10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±25V
3905 pF @ 75 V
-
2.5W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。