单 FET，MOSFET

结果 : 18
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.onsemiSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-DeepGATE™, STripFET™ VISTripFET™ IITrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V70 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）170mA（Ta）360mA（Ta）1.8A（Ta）1.8A（Tc）2.1A（Ta）2.5A（Ta）2.6A（Ta）3A（Ta）3A（Tj）3.3A（Ta），3.6A（Tc）4A（Tc）6A（Ta）15.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V5V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
52 毫欧 @ 7A，10V60 毫欧 @ 3.2A，10V81 毫欧 @ 17A，10V85 毫欧 @ 1.6A，4.5V100 毫欧 @ 1.5A，10V110 毫欧 @ 1.5A，10V120 毫欧 @ 1.5A，5V150 毫欧 @ 2.2A，10V150 毫欧 @ 7.5A，5V160 毫欧 @ 1.5A，10V160 毫欧 @ 2.1A，10V170 毫欧 @ 750mA，10V250 毫欧 @ 1A，10V300 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.2V @ 250µA2V @ 250µA2.2V @ 250µA2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA2.6V @ 1mA2.8V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.8 nC @ 4.5 V6.4 nC @ 10 V6.7 nC @ 10 V8.5 nC @ 4.5 V9 nC @ 5 V9.7 nC @ 10 V12 nC @ 10 V14 nC @ 10 V14.3 nC @ 10 V15 nC @ 5 V15 nC @ 10 V18 nC @ 10 V20 nC @ 10 V22 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±15V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
20 pF @ 25 V50 pF @ 10 V50 pF @ 25 V235 pF @ 15 V270 pF @ 25 V340 pF @ 25 V340 pF @ 48 V440 pF @ 25 V455 pF @ 25 V492 pF @ 25 V551 pF @ 30 V601 pF @ 30 V620 pF @ 25 V635 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）225mW（Ta）350mW（Ta）420mW（Ta）1W（Ta）1.1W（Ta），1.7W（Tc）1.2W（Ta）1.3W（Ta）1.8W（Ta），14W（Tc）2W（Ta）2W（Ta），3.1W（Tc）2.6W（Tc）3W（Ta）3.2W（Ta），21W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-WDFN（3.3x3.3）DPAKSOT-223SOT-223-3SOT-223-4SOT-223（TO-261）SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-236AB
封装/外壳
8-PowerWDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
18结果
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/ 18
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
449,468
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.33699
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
360mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.4V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
BSS123LT1G
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
onsemi
320,979
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49111
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
170mA（Ta）
10V
6 欧姆 @ 100mA，10V
2.6V @ 1mA
-
±20V
20 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
NTR4101PT1G
MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
onsemi
68,634
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.71689
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.8A（Ta）
1.8V，4.5V
85 毫欧 @ 1.6A，4.5V
1.2V @ 250µA
8.5 nC @ 4.5 V
±8V
675 pF @ 10 V
-
420mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2304DDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Vishay Siliconix
48,633
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.90840
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.3A（Ta），3.6A（Tc）
4.5V，10V
60 毫欧 @ 3.2A，10V
2.2V @ 250µA
6.7 nC @ 10 V
±20V
235 pF @ 15 V
-
1.1W（Ta），1.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002
MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C
onsemi
120,283
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.98625
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT223-3L
NDT2955
MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4
onsemi
2,150
现货
1 : ¥5.42000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.06663
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.5A（Ta）
4.5V，10V
300 毫欧 @ 2.5A，10V
4V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
601 pF @ 30 V
-
3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223-3
ZXMP7A17GTA
MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223
Diodes Incorporated
11,091
现货
281,000
工厂
1 : ¥6.40000
剪切带（CT）
1,000 : ¥2.71714
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
70 V
2.6A（Ta）
4.5V，10V
160 毫欧 @ 2.1A，10V
1V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
635 pF @ 40 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223 (TO-261)
NTF3055L108T1G
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
onsemi
16,636
现货
1 : ¥7.06000
剪切带（CT）
1,000 : ¥3.00104
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3A（Ta）
5V
120 毫欧 @ 1.5A，5V
2V @ 250µA
15 nC @ 5 V
±15V
440 pF @ 25 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223（TO-261）
TO-261-4，TO-261AA
SOT223-3L
STN3NF06L
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
STMicroelectronics
85,044
现货
1 : ¥7.31000
剪切带（CT）
4,000 : ¥3.02544
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4A（Tc）
5V，10V
100 毫欧 @ 1.5A，10V
2.8V @ 250µA
9 nC @ 5 V
±16V
340 pF @ 25 V
-
3.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223 (TO-261)
NTF3055-100T1G
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
onsemi
2,711
现货
1 : ¥7.31000
剪切带（CT）
1,000 : ¥3.21868
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3A（Ta）
10V
110 毫欧 @ 1.5A，10V
4V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
455 pF @ 25 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223（TO-261）
TO-261-4，TO-261AA
SOT223-3L
IRFL9014TRPBF
MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Vishay Siliconix
71,512
现货
1 : ¥7.39000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.05148
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.8A（Tc）
10V
500 毫欧 @ 1.1A，10V
4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
2W（Ta），3.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
DPAK_369C
NTD20P06LT4G
MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
onsemi
3,693
现货
1 : ¥8.87000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.65927
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
15.5A（Ta）
5V
150 毫欧 @ 7.5A，5V
2V @ 250µA
26 nC @ 5 V
±20V
1190 pF @ 25 V
-
65W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SOT-223-3
DMP6185SE-13
MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
Diodes Incorporated
18,470
现货
1,192,500
工厂
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.28422
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3A（Ta）
4.5V，10V
150 毫欧 @ 2.2A，10V
3V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
708 pF @ 30 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223-3
DMP6250SE-13
MOSFET P-CH 60V 2.1A SOT223
Diodes Incorporated
5,887
现货
10,000
工厂
1 : ¥5.83000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.21434
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.1A（Ta）
4.5V，10V
250 毫欧 @ 1A，10V
3V @ 250µA
9.7 nC @ 10 V
±20V
551 pF @ 30 V
-
1.8W（Ta），14W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
8-WDFN
NVTFS5116PLTAG
MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
onsemi
1,965
现货
1 : ¥6.98000
剪切带（CT）
1,500 : ¥3.07919
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6A（Ta）
4.5V，10V
52 毫欧 @ 7A，10V
3V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1258 pF @ 25 V
-
3.2W（Ta），21W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
SOT-223
STN3P6F6
MOSFET P-CH 60V SOT223
STMicroelectronics
10,189
现货
1 : ¥7.55000
剪切带（CT）
4,000 : ¥3.12959
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3A（Tj）
10V
160 毫欧 @ 1.5A，10V
4V @ 250µA
6.4 nC @ 10 V
±20V
340 pF @ 48 V
-
2.6W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
NTD6416ANT4G
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
onsemi
12,753
现货
1 : ¥9.85000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.05995
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
17A（Tc）
10V
81 毫欧 @ 17A，10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
620 pF @ 25 V
-
71W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SOT-223 (TO-261)
NVF2955T1G
MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223
onsemi
3,830
现货
1 : ¥9.36000
剪切带（CT）
1,000 : ¥4.10116
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.6A（Ta）
10V
170 毫欧 @ 750mA，10V
4V @ 1mA
14.3 nC @ 10 V
±20V
492 pF @ 25 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223（TO-261）
TO-261-4，TO-261AA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。