单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.
系列
-CoolMOS™ P7
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
40 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.8A（Ta）48A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
30 毫欧 @ 4.8A，10V60 毫欧 @ 15.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA4V @ 800µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11.7 nC @ 10 V67 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
440 pF @ 20 V2895 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）
710mW（Ta），8.3W（Tc）164W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO247-3TO-236AB
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-TO247-3
IPW60R060P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3
Infineon Technologies
235
现货
1 : ¥50.49000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
48A（Tc）
10V
60 毫欧 @ 15.9A，10V
4V @ 800µA
67 nC @ 10 V
±20V
2895 pF @ 400 V
-
164W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
TO-236AB
PMV30ENEAR
MOSFET N-CH 40V 4.8A TO236AB
Nexperia USA Inc.
1,343
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.97579
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
4.8A（Ta）
4.5V，10V
30 毫欧 @ 4.8A，10V
2.5V @ 250µA
11.7 nC @ 10 V
±20V
440 pF @ 20 V
-
710mW（Ta），8.3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。