单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologies
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.4A（Ta）7.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
25 毫欧 @ 5A，10V63 毫欧 @ 3.4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 10µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.9 nC @ 4.5 V53.1 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
270 pF @ 24 V2569 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
1W（Ta）1.3W（Ta）
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23POWERDI3333-8
封装/外壳
8-PowerVDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRLML6346TRPBF
MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23
Infineon Technologies
81,262
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.83410
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.4A（Ta）
2.5V，4.5V
63 毫欧 @ 3.4A，4.5V
1.1V @ 10µA
2.9 nC @ 4.5 V
±12V
270 pF @ 24 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerDI3333-8
DMP6023LFG-7
MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
9,140
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.85341
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
7.7A（Ta）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
53.1 nC @ 10 V
±20V
2569 pF @ 30 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。