单 FET,MOSFET

结果 : 2
制造商
Nexperia USA Inc.Rohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
250mA(Ta)720mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
850 毫欧 @ 720mA, 10V2.4 欧姆 @ 250mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 1mA2.6V @ 250µA
Vgs(最大值)
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
15 pF @ 25 V28 pF @ 30 V
功率耗散(最大值)
420mW(Ta),4.2W(Tc)1W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
安装类型
表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
DFN1010-3WDFN1110D-3
封装/外壳
3-XDFN 裸露焊盘3-XFDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
2N7002KQB/SOT8015/DFN1110D-3
2N7002KQBZ
2N7002KQB/SOT8015/DFN1110D-3
Nexperia USA Inc.
31,100
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
5,000 : ¥0.53691
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
720mA(Ta)
4.5V,10V
850 毫欧 @ 720mA, 10V
2.6V @ 250µA
0.92 nC @ 10 V
±16V
28 pF @ 30 V
-
420mW(Ta),4.2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
DFN1110D-3
3-XDFN 裸露焊盘
DFN1010
RV8L002SNHZGG2CR
MOSFET N-CH 60V 250MA DFN1010-3W
Rohm Semiconductor
6,452
现货
1 : ¥4.60000
剪切带(CT)
8,000 : ¥1.47431
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
250mA(Ta)
-
2.4 欧姆 @ 250mA,10V
2.3V @ 1mA
-
±20V
15 pF @ 25 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN1010-3W
3-XFDFN
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。