单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Nexperia USA Inc.Rohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
250mA（Ta）720mA（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
850 毫欧 @ 720mA， 10V2.4 欧姆 @ 250mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 1mA2.6V @ 250µA
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
15 pF @ 25 V28 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
420mW（Ta），4.2W（Tc）1W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装，可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
DFN1010-3WDFN1110D-3
封装/外壳
3-XDFN 裸露焊盘3-XFDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
2N7002KQB/SOT8015/DFN1110D-3
2N7002KQBZ
2N7002KQB/SOT8015/DFN1110D-3
Nexperia USA Inc.
31,100
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
5,000 : ¥0.53691
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
720mA（Ta）
4.5V，10V
850 毫欧 @ 720mA， 10V
2.6V @ 250µA
0.92 nC @ 10 V
±16V
28 pF @ 30 V
-
420mW（Ta），4.2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装，可润湿侧翼
DFN1110D-3
3-XDFN 裸露焊盘
DFN1010
RV8L002SNHZGG2CR
MOSFET N-CH 60V 250MA DFN1010-3W
Rohm Semiconductor
6,452
现货
1 : ¥4.60000
剪切带（CT）
8,000 : ¥1.47431
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
250mA（Ta）
-
2.4 欧姆 @ 250mA，10V
2.3V @ 1mA
-
±20V
15 pF @ 25 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN1010-3W
3-XFDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。