单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.Rohm Semiconductor
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V100 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
190mA（Ta）190mA（Ta），300mA（Tc）250mA（Ta）380mA（Ta）20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V4.5V，10V5V，10V15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
234 毫欧 @ 10A，15V2 欧姆 @ 500mA，10V2.4 欧姆 @ 250mA，10V4.5 欧姆 @ 100mA，10V6 欧姆 @ 190mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.8V @ 13µA2.1V @ 250µA2.3V @ 1mA2.5V @ 1mA7V @ 3.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.3 nC @ 4.5 V0.43 nC @ 4.5 V0.9 nC @ 10 V45 nC @ 15 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
15 pF @ 25 V20 pF @ 10 V20.9 pF @ 25 V50 pF @ 25 V1500 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）265mW（Ta），1.33W（Tc）370mW（Ta）500mW（Ta）252W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
LPTSPG-SOT23SOT-23-3SST3TO-236AB
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
14,778
现货
1 : ¥1.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.22931
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
190mA（Ta），300mA（Tc）
5V，10V
4.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW（Ta），1.33W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
95,687
现货
7,950,000
工厂
1 : ¥1.81000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.29868
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
380mA（Ta）
5V，10V
2 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSS123NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Infineon Technologies
201,752
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.54710
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
190mA（Ta）
4.5V，10V
6 欧姆 @ 190mA，10V
1.8V @ 13µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
20.9 pF @ 25 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SST3
RK7002BMT116
MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
Rohm Semiconductor
287,229
现货
1 : ¥1.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.27485
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
250mA（Ta）
2.5V，10V
2.4 欧姆 @ 250mA，10V
2.3V @ 1mA
-
±20V
15 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SST3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
LPTS
R6020JNJGTL
MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Rohm Semiconductor
2,787
现货
1 : ¥38.67000
剪切带（CT）
1,000 : ¥19.98098
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
20A（Tc）
15V
234 毫欧 @ 10A，15V
7V @ 3.5mA
45 nC @ 15 V
±30V
1500 pF @ 100 V
-
252W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
LPTS
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。