单 FET，MOSFET

结果 : 5
系列
CoolMOS™ C6CoolMOS™ CFD2OptiMOS™OptiMOS™5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
60 V80 V600 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
17.5A（Tc）30A（Tc）32A（Ta）， 290A（Tc）87A（Tc）410A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.1 毫欧 @ 100A，10V1.9 毫欧 @ 100A，10V2.9毫欧 @ 87A，10V125 毫欧 @ 14.5A，10V190 毫欧 @ 7.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.3V @ 36µA3.5V @ 960µA3.8V @ 148µA3.8V @ 275µA4.5V @ 700µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
68 nC @ 10 V74 nC @ 10 V96 nC @ 10 V132 nC @ 10 V231 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1850 pF @ 100 V2127 pF @ 100 V5300 pF @ 30 V6600 pF @ 40 V16250 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
3.8W（Ta）， 313W（Tc）34W（Tc）38W（Tc）219W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-HSOF-5-4PG-HSOF-8-1PG-TO220 整包PG-TO220-FPPG-TO263-3
封装/外壳
5-PowerSFN8-PowerSFNTO-220-3 整包TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
1,040
现货
1 : ¥45.98000
剪切带（CT）
2,000 : ¥22.39129
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
410A（Tj）
6V，10V
1.1 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 275µA
231 nC @ 10 V
±20V
16250 pF @ 40 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
469
现货
1 : ¥20.03000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
87A（Tc）
6V，10V
2.9毫欧 @ 87A，10V
3.3V @ 36µA
74 nC @ 10 V
±20V
5300 pF @ 30 V
-
38W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO220 整包
TO-220-3 整包
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB60R125C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
Infineon Technologies
3,355
现货
1 : ¥45.48000
剪切带（CT）
1,000 : ¥23.52433
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
30A（Tc）
10V
125 毫欧 @ 14.5A，10V
3.5V @ 960µA
96 nC @ 10 V
±20V
2127 pF @ 100 V
-
219W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IST011N06NM5AUMA1
IST019N08NM5AUMA1
TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-5
Infineon Technologies
977
现货
1 : ¥35.30000
剪切带（CT）
2,000 : ¥17.19058
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
32A（Ta）， 290A（Tc）
6V，10V
1.9 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 148µA
132 nC @ 10 V
±20V
6600 pF @ 40 V
-
3.8W（Ta）， 313W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOF-5-4
5-PowerSFN
MOSFETTO247
IPA65R190CFDXKSA2
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
Infineon Technologies
542
现货
1 : ¥27.50000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
17.5A（Tc）
10V
190 毫欧 @ 7.3A，10V
4.5V @ 700µA
68 nC @ 10 V
±20V
1850 pF @ 100 V
-
34W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO220-FP
TO-220-3 整包
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。