单 FET，MOSFET

结果 : 3
系列
CoolMOS™ CFD7CoolMOS™S7OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
200 V600 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A（Tc）13A（Tc）52A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
22 毫欧 @ 52A，10V40 毫欧 @ 13A，12V170 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 137µA4.5V @ 300µA4.5V @ 790µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
28 nC @ 10 V43 nC @ 10 V83 nC @ 12 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1199 pF @ 400 V3127 pF @ 300 V3680 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
26W（Tc）214W（Tc）245W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-HSOF-8-2PG-TO220-FPPG-TSON-8-3
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerTDFNTO-220-3 整包
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-TSON-8-3
BSC220N20NSFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 52A TSON-8
Infineon Technologies
11,250
现货
1 : ¥40.23000
剪切带（CT）
5,000 : ¥18.77393
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
52A（Tc）
10V
22 毫欧 @ 52A，10V
4V @ 137µA
43 nC @ 10 V
±20V
3680 pF @ 100 V
-
214W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSON-8-3
8-PowerTDFN
230
现货
1 : ¥24.71000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
8A（Tc）
10V
170 毫欧 @ 6A，10V
4.5V @ 300µA
28 nC @ 10 V
±20V
1199 pF @ 400 V
-
26W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO220-FP
TO-220-3 整包
TOLLLEADLESS
IPT60R040S7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 13A 8HSOF
Infineon Technologies
1,970
现货
1 : ¥68.22000
剪切带（CT）
2,000 : ¥36.24069
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
13A（Tc）
12V
40 毫欧 @ 13A，12V
4.5V @ 790µA
83 nC @ 12 V
±20V
3127 pF @ 300 V
-
245W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。