单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Nexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Ta）82A（Ta），100A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.62 毫欧 @ 20A，10V8.6 毫欧 @ 12A，10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
19 nC @ 10 V188 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+20V，-16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
914 pF @ 15 V9530 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
1.9W（Ta），12.5W（Tc）6.25W（Ta），125W（Tc）
供应商器件封装
DFN2020M-6PowerPAK® SO-8DC
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘PowerPAK® SO-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
6-DFN2020MD_View 2
PMPB07R3ENX
PMPB07R3EN/SOT1220-2/DFN2020M-
Nexperia USA Inc.
3,080
现货
1 : ¥4.35000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.46392
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12A（Ta）
4.5V，10V
8.6 毫欧 @ 12A，10V
2.2V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
914 pF @ 15 V
-
1.9W（Ta），12.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DFN2020M-6
6-UDFN 裸露焊盘
PowerPAK SO-8DC
SIDR392DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 82A/100A PPAK
Vishay Siliconix
10,833
现货
1 : ¥15.11000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.00461
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
82A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
0.62 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
188 nC @ 10 V
+20V，-16V
9530 pF @ 15 V
-
6.25W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8DC
PowerPAK® SO-8
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。