单 FET,MOSFET

结果 : 7
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-HEXFET®OptiMOS™OptiMOS™-5TrenchFET®TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
40 V60 V80 V100 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
240mA(Ta)1.1A(Ta)3.6A(Ta)48.7A(Ta),218A(Tc)65A(Tc)176A(Tc)261A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.4 毫欧 @ 50A,10V1.5 毫欧 @ 20A,10V2 毫欧 @ 100A,10V30 毫欧 @ 30A,10V56 毫欧 @ 3.6A,10V450 毫欧 @ 1.1A,10V5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA2.5V @ 25µA2.7V @ 250µA3.3V @ 120µA4V @ 250µA4.1V @ 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.82 nC @ 10 V3.9 nC @ 4.5 V4.5 nC @ 10 V104 nC @ 10 V130 nC @ 10 V135 nC @ 10 V195 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±16V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
22 pF @ 25 V130 pF @ 40 V266 pF @ 25 V840 pF @ 50 V5100 pF @ 25 V5900 pF @ 30 V8125 pF @ 30 V
功率耗散(最大值)
320mW(Ta)400mW(Ta),6.25W(Tc)1.3W(Ta)3W(Ta),188W(Tc)3.75W(Ta),375W(Tc)7.5W(Ta),150W(Tc)313W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
DFN1010D-3Micro3™/SOT-23PG-TO263-3PG-WSON-8-2PowerPAK® SO-8DCSOT-323TO-263(D2PAK)
封装/外壳
3-XDFN 裸露焊盘8-PowerWDFNPowerPAK® SO-8SC-70,SOT-323TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRLML0040TRPBF
MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT23
Infineon Technologies
14,217
现货
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.06404
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
3.6A(Ta)
4.5V,10V
56 毫欧 @ 3.6A,10V
2.5V @ 25µA
3.9 nC @ 4.5 V
±16V
266 pF @ 25 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
BSC070N10NS5SCATMA1
BSC014N06NSSCATMA1
MOSFET N-CH 60V 261A WSON-8
Infineon Technologies
5,959
现货
1 : ¥28.40000
剪切带(CT)
4,000 : ¥13.83630
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
261A(Tc)
6V,10V
1.4 毫欧 @ 50A,10V
3.3V @ 120µA
104 nC @ 10 V
±20V
8125 pF @ 30 V
-
3W(Ta),188W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-WSON-8-2
8-PowerWDFN
TO-263 (D2Pak)
SUM65N20-30-E3
MOSFET N-CH 200V 65A TO263
Vishay Siliconix
5,169
现货
1 : ¥38.67000
剪切带(CT)
800 : ¥23.33015
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
65A(Tc)
10V
30 毫欧 @ 30A,10V
4V @ 250µA
130 nC @ 10 V
±20V
5100 pF @ 25 V
-
3.75W(Ta),375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB020N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3
Infineon Technologies
1,509
现货
1 : ¥66.58000
剪切带(CT)
1,000 : ¥37.74543
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
176A(Tc)
10V
2 毫欧 @ 100A,10V
4.1V @ 270µA
195 nC @ 10 V
±20V
840 pF @ 50 V
-
313W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
SOT-323
DMN67D8LW-13
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323
Diodes Incorporated
325,185
现货
30,000
工厂
1 : ¥1.97000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.25653
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
240mA(Ta)
5V,10V
5 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
0.82 nC @ 10 V
±30V
22 pF @ 25 V
-
320mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
3-XFDFN Exposed Pad
PMXB360ENEAZ
MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3
Nexperia USA Inc.
13,951
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
5,000 : ¥0.78976
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
1.1A(Ta)
4.5V,10V
450 毫欧 @ 1.1A,10V
2.7V @ 250µA
4.5 nC @ 10 V
±20V
130 pF @ 40 V
-
400mW(Ta),6.25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN1010D-3
3-XDFN 裸露焊盘
PowerPAK_SO-8DC_Top
SIDR626LEP-T1-RE3
N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
Vishay Siliconix
1,470
现货
1 : ¥26.84000
剪切带(CT)
3,000 : ¥13.07046
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
48.7A(Ta),218A(Tc)
4.5V,10V
1.5 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
135 nC @ 10 V
±20V
5900 pF @ 30 V
-
7.5W(Ta),150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8DC
PowerPAK® SO-8
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。