单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
STMicroelectronicsToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
STripFET™ F7TrenchFET®U-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
75 V100 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
65A（Tc）107A（Tc）150A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
7.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.6 毫欧 @ 50A，10V6 毫欧 @ 53A，10V30 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 250µA4V @ 1mA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
72 nC @ 10 V72.5 nC @ 10 V75 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4050 pF @ 25 V5600 pF @ 50 V6000 pF @ 37.5 V
功率耗散（最大值）
136W（Tc）142W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装，可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
8-SOP Advance（5x5）PowerFlat™（5x6）TO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-PowerVDFNTO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
115,714
现货
1 : ¥11.66000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.60213
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
75 V
150A（Tc）
10V
2.6 毫欧 @ 50A，10V
4V @ 1mA
72 nC @ 10 V
±20V
6000 pF @ 37.5 V
-
142W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
PowerFlat WF
STL115N10F7AG
MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
STMicroelectronics
12,324
现货
1 : ¥22.08000
剪切带（CT）
3,000 : ¥10.76082
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
107A（Tc）
10V
6 毫欧 @ 53A，10V
4.5V @ 250µA
72.5 nC @ 10 V
±20V
5600 pF @ 50 V
-
136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装，可润湿侧翼
PowerFlat™（5x6）
8-PowerVDFN
TO-263 (D2Pak)
SQM10250E_GE3
MOSFET N-CH 250V 65A TO263
Vishay Siliconix
11,738
现货
1 : ¥25.37000
剪切带（CT）
800 : ¥15.31429
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
65A（Tc）
7.5V，10V
30 毫欧 @ 15A，10V
3.5V @ 250µA
75 nC @ 10 V
±20V
4050 pF @ 25 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。