单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesRohm Semiconductor
系列
-CoolMOS™ P6
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7A（Tc）20.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
190 毫欧 @ 7.6A，10V780 毫欧 @ 3.5A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 630µ7V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11 nC @ 10 V17.5 nC @ 15 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
475 pF @ 100 V1750 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
46W（Tc）151W（Tc）
供应商器件封装
PG-TO220-3TO-220FM
封装/外壳
TO-220-3TO-220-3 整包
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220-3
IPP60R190P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
Infineon Technologies
3,183
现货
1 : ¥22.66000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
20.2A（Tc）
10V
190 毫欧 @ 7.6A，10V
4.5V @ 630µ
11 nC @ 10 V
±20V
1750 pF @ 100 V
-
151W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
R6004KNXC7G
R6007JNXC7G
MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
Rohm Semiconductor
2,019
现货
1 : ¥23.07000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
7A（Tc）
15V
780 毫欧 @ 3.5A，15V
7V @ 1mA
17.5 nC @ 15 V
±30V
475 pF @ 100 V
-
46W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220FM
TO-220-3 整包
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。