单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Panjit International Inc.
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.3A（Ta）6.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
20 毫欧 @ 6.5A，4.5V125 毫欧 @ 1.3A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA1.25V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.4 nC @ 4.5 V14 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
416 pF @ 10 V660 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）1.3W（Ta）
供应商器件封装
SOT-23-3SOT-323
封装/外壳
3-SMD，SOT-23-3 变式SC-70，SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
37,261
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.77474
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.3A（Ta）
1.8V，4.5V
125 毫欧 @ 1.3A，4.5V
1.2V @ 250µA
5.4 nC @ 4.5 V
±12V
416 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-23-3
AOSS32136C
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
215,066
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.83114
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6.5A（Ta）
2.5V，4.5V
20 毫欧 @ 6.5A，4.5V
1.25V @ 250µA
14 nC @ 4.5 V
±12V
660 pF @ 10 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD，SOT-23-3 变式
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。