单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.onsemi
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
350mA（Ta）1.3A（Ta）4.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，4.5V2.7V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
40 毫欧 @ 4.6A，4.5V160 毫欧 @ 1.5A，4.5V1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.1V @ 250µA1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.68 nC @ 4.5 V5 nC @ 4.5 V10.1 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 15 V162 pF @ 10 V820 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
260mW（Ta），830mW（Tc）500mW（Ta）1.25W（Ta）
供应商器件封装
SC-59-3SOT-23-3SOT-323
封装/外壳
SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
NDS331N
MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
onsemi
174,401
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.20587
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.3A（Ta）
2.7V，4.5V
160 毫欧 @ 1.5A，4.5V
1V @ 250µA
5 nC @ 4.5 V
±8V
162 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-323
NX3008NBKW,115
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT323
Nexperia USA Inc.
640,380
现货
1 : ¥2.05000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.33877
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
350mA（Ta）
1.8V，4.5V
1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V
1.1V @ 250µA
0.68 nC @ 4.5 V
±8V
50 pF @ 15 V
-
260mW（Ta），830mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SC-59-3
DMP2066LSN-7
MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3
Diodes Incorporated
131,581
现货
3,000
工厂
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.07748
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.6A（Ta）
2.5V，4.5V
40 毫欧 @ 4.6A，4.5V
1.2V @ 250µA
10.1 nC @ 4.5 V
±12V
820 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SC-59-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。