单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.
系列
CoolMOS™TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.9A（Ta），20A（Tc）50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10 毫欧 @ 50A，12V17.4 毫欧 @ 7.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA4.5V @ 3.08mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7.7 nC @ 10 V318 nC @ 12 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
350 pF @ 15 V11987 pF @ 300 V
功率耗散（最大值）
1.7W（Ta），10.9W（Tc）694W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
MLPAK33PG-HDSOP-22-1
封装/外壳
8-PowerVDFN22-PowerBSOP 模块
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power VDFN
PXN017-30QLJ
PXN017-30QL/SOT8002/MLPAK33
Nexperia USA Inc.
4,245
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.35714
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
7.9A（Ta），20A（Tc）
4.5V，10V
17.4 毫欧 @ 7.9A，10V
2.2V @ 250µA
7.7 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 15 V
-
1.7W（Ta），10.9W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
MLPAK33
8-PowerVDFN
0
现货
查看交期
1 : ¥195.46000
剪切带（CT）
750 : ¥139.79151
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
50A（Tc）
12V
10 毫欧 @ 50A，12V
4.5V @ 3.08mA
318 nC @ 12 V
±20V
11987 pF @ 300 V
-
694W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-HDSOP-22-1
22-PowerBSOP 模块
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。